清大领先全球 找出MRAM核心技术
S190315Y5 2019年4月号
清华大学工学院院长赖志煌结合物理系教授林秀豪等组成跨领域团体，研发出新一代磁阻式随机存取内存（MRAM）核心技术，透过电子自旋流来操控铁磁、反铁磁奈米膜层的磁性翻转，不仅有助扩大内存容量，且就算断电，数据也不会消失，未来采用磁性内存的手机、平板，待机时间甚至可延长至少一倍。相关研究已登上国际期刊「自然材料」（Nature Materials）。
林秀豪教授解释MRAM运作的原理，电子不只带电荷，还有另一项自旋特性，当电子自转时会产生极微小的磁矩，就像在芯片上形成千万个微小的磁铁，可以藉由小磁铁的北极向上或向下来决定0与1的记忆，因此，不运算时就不必供电，且就算运算到一半断电，数据也不会消失。
这项研究得到学界顶尖期刊的认可，不仅是MRAM的突破，也为自旋电子学的发展带来崭新视野。（2019.03）
资料来源：
自由时报 20190315/A16
