力晶、三菱簽0.1微米製程合作備忘錄

力晶半導體昨(18)日宣佈與日本三菱電機（Melco）共同簽署0.1微米堆疊式（Stacked）DRAM製程的技術合作備忘錄，為了延續並確保DRAM先進製程來源，根據該備忘錄內容，力晶與三菱將合作開發0.1微米及以下的DRAM製程技術，合作模式則由三菱負責製程開發，力晶則在開發成熟後的第一時間引進至12吋廠中進行試產與產品驗證，三菱也將提供充份的技術、設備、材料等協助，而預計2003年下半年移轉的0.1微米，則將用以生產更高集積度的512Mb與1Gb  DRAM產品。

力晶與三菱自0.4微米開始合作以來，8吋廠的DRAM量產技術已轉換了七個世代，現在則正式跨入0.15微米，由於力晶技術根植於同一來源，因此每一世代的技術轉換約有九成以上設備相同，製程也有八成左右的相似度，這對於力晶成本結構的改善相當有助益，也使力晶在DRAM生產上取得相當大的競爭優勢。