清大領先全球 找出MRAM核心技術
C190315Y5 2019年4月號
清華大學工學院院長賴志煌結合物理系教授林秀豪等組成跨領域團體，研發出新一代磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）核心技術，透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉，不僅有助擴大記憶體容量，且就算斷電，資料也不會消失，未來採用磁性記憶體的手機、平板，待機時間甚至可延長至少一倍。相關研究已登上國際期刊「自然材料」（Nature Materials）。
林秀豪教授解釋MRAM運作的原理，電子不只帶電荷，還有另一項自旋特性，當電子自轉時會產生極微小的磁矩，就像在晶片上形成千萬個微小的磁鐵，可以藉由小磁鐵的北極向上或向下來決定0與1的記憶，因此，不運算時就不必供電，且就算運算到一半斷電，資料也不會消失。
這項研究得到學界頂尖期刊的認可，不僅是MRAM的突破，也為自旋電子學的發展帶來嶄新視野。（2019.03）
資料來源：
自由時報 20190315/A16
