ITRI와 TSMC가 저소비 전력을 사용하는 차세대 메모리 공동개발

ITRI¹⁾는 2024년 1월 17일에, TSMC²⁾와 공동 개발한 SOT-MRAM³⁾ 어레이 칩에 혁신적인 컴퓨팅 시스템을 탑재하였고, 메모리 내부의 컴퓨팅에 적용할 수 있어, 소비 전력도 STT-MRAM⁴⁾의 1%에 불과하다라고 발표했다.

ITRI 전자 광전자 시스템 소장 장스제(張世杰)는 ITRI 및 TSMC에서 공동 개발한 SOT-MRAM 유닛 셀은 저소비 전력과 10나노초(nanoseconds;ns)의 고속 동작 등의 장점을 모두 갖추고 있으며, 회로 설계와의 통합에 의해 메모리 내부의 컴퓨팅 기술이 완성되었기 때문에 컴퓨팅 효율이 더욱 향상되어 종래형 MRAM의 메모리를 위주로 한 응용 상황에서 탈피하게 된다고 말하고 있었다.

장스제(張世杰)는 쌍방 제휴의 성과를 국제전자 장치회의(International Electron Device Meeting; IEDM)에서 논문으로 발표하면서 차세대 메모리 기술의 연구개발 역량을 입증했다고 하였다. 앞으로 이 기술이 고성능 컴퓨팅(High Performance Computing; HPC), AI 인공지능 및 자동차용 칩 등에 응용될 수 있을 것이라고 말했다. (2024.01)

역주:
1)    중국어는 工業技術研究院, 영어는 Industrial Technology Research Institute (ITRI)
2)    중국어는 台灣積體電路製造公司, 영어는Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)
3)    SOT-MRAM은 Spin Orbit Torque MRAM을 지칭
4)    STT-MRAM은 Spin Transfer Torque MRAM을 지칭