半導体大手PSCと三菱電機、0.1µm Stacked DRAMプロセス技術提携の覚書

台湾半導体メーカー、PSC(Powerchip Semiconductor Corp.)は18日、日本三菱電機（Melco）とスタックドDRAMプロセスに関して、今までの協力関係を続けて技術提携をしていくことで合意に達した内容が盛り込まれた覚書を作成したことを発表した。DRAM先端技術のソースを確保するため、同覚書により、Melcoがプロセス技術の開発に取り組み、開発した新技術が成熟すれば、一番にPSCがもつ12インチウェハファブに導入して試作及び製品の認証を行う。Melcoは技術、設備、原材料などでサポートをし、より高集積化を実現する512Mbと1Gb DRAMの製造に、2003年下半期にMelcoから技術移転が予定されている0.1ミクロンプロセス技術を生かす方針である。

PSCとMelcoの協力関係は0.4ミクロンプロセス技術が始まりで、8インチウェブファブでの量産化に運用されて以来、既に七世代の技術転換を経てきた。現在は、0.15ミクロン世代に入っている。同じソースに根ざしたプロセス技術はミクロンテクノロジーの世代交番に影響されることなく、九割以上の設備が同じで、かつプロセスの八割が類似しているため、DRAM製造においてPSCに優勢な競争力を持たせるほか、コストの構造改革にも貢献している。

工商時報2002.03.19より