TSMC、ST、PHILIPS、90ナノメータプロセス技術の共同開発を発表

TSMC、STマイクロエレクトロニクス、PHILIPSの三社は5日、台湾とヨーロッパで90ナノメータCMOSプロセス技術に関する共同開発プロジェクトに合意したことを発表した。90メータテクノロジーの設計への利用に関して、STとPHILIPSはフランスのクロル工場で、そしてTSMCは台湾の新竹工場で、それぞれがスタティックRAMのテストチップの製造に成功している。2002年の第4四半期には、製品の試作に入る予定である。将来的には、65ナノメータ以上の先進CMOSプロセス技術への取り組みにも力を注ぎ込みたいとしている。5年間にわたるこの共同開発プロジェクトに要する経費はおよそ5億ドルで、三社において分担する。

共同開発プロジェクトには、三社の内部研究開発チーム並びにカスタマ･エンジニアリング部門に加えて、PHILIPS・リサーチやIMEC、CEA／LETI、フランス・テレコムR&Dなど、三社関連の先端研究施設の共同リソースが参画しているからこそ、90ナノメータプロセスの開発や量産化の実現をスピードアップさせることができた。

工商時報2002.03.06より