TSMCがパワーチップと共同開発 世界最強の3D 集積化技術でメモリー統合化
J210826Y5 | 2021年9月号(J265) 前のぺージに戻る    
    TSMC(台積電)、パワーチップ(力晶)の二大グループが技術提携し、DRAMとロジックICチップ3次元(3D)ヘテロ集積化技術の統合による世界最強のメモリーを開発する。この3D統合ICチップはハイ・バンドワイド・メモリー(HBM)よりデータ処理速度が10倍以上速く、容量4ギガバイト(GB)以上を搭載し、これは7ナノ製造プロセスロジックICチップ内のSRAM最大容量の5から10倍である。
    今回の二大グループ共同開発の分担は、パワーチップ傘下のAPメモリー・テクノロジー(愛普科技)がVHMTMを提供するが、これにはカスタマイズDRAM設計及びDRAMとロジックICチップを統合したインターフェイスであるVHMTM LInK IPも含まれる。パワーチップ傘下のパワーチップ・セミコンダクター・マニュファクチャリング、PSMC(力積電)がカスタマイズDRAMを生産し、TSMCはロジックICの生産と3D集積化を担う。この3D集積化チップの顧客は鯨鏈科技(WHALECHIP CO., LTD.)であるが、同社はイノベーションに力を入れるファブレス半導体とシステムソリューションのサプライヤーである。
    これは台湾半導体技術の新たな発展であり、関連製品も既に量産出荷が開始され、ブロックチェーン、AI、ネット通信等の先進技術への応用が期待される。(2021年8月)